Влияние лазерного отжига на электрические характеристики МДП структур на основе GaAs

Исследовано влияние импульсного лазерного отжига с ${\lambda=0.69}$ мкм на электрические характеристики структур металл$-$Si$_{3}$N$_{4}{-}$BN$-$GaAs. Показано, что при энергиях отжига ${E\leqslant 10\,\text{Дж/см}^{2}}$ вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики сдвигаются в область меньших обогащающих потенциалов. При ${E>10\,\text{Дж/см}^{2}}$ происходит инверсия хода вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Изменения электрических характеристик МДП структур после лазерного отжига связаны с превращениями, происходящими на границе раздела диэлектрик$-$полупроводник.