RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6, страницы 1124–1134 (Mi phts4722)

Состояния водорода и механизмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии

Б. Н. Мукашев, М. Ф. Тамендаров, С. Ж. Токмолдин


Аннотация: Проведены исследования состояний атомарного водорода в кремнии и его влияния на процессы пассивации и перестройки энергетических уровней примесей и радиационных дефектов. Показано, что водород является бистабильной примесью и локализуется в тетраэдрическом ($T$) междоузлии в состояниях ${H^{-}_{T}/H^{0}_{T}}$ ($E_{c}{-}0.2$ эВ) и ${H^{0}_{T}/H^{+}_{T}}$ (${E_{v}+0.3}$ эВ) и в центре Si$-$Si-связи в состоянии $H_{BC}^{0}/H^{+}_{BC}$ ($E_{c}{-}0.16$ эВ). Предложены модели пассивации мелких доноров и акцепторов, дефектов вакансионного типа, а также атомов переходных металлов и серы.



© МИАН, 2024