Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений $\text{A}^{\text{II}}\text{B}^{\text{V}}$ симметрий $D^{8}_{4}$ и $C^{5}_{2h}$

Исследована методами оже-спектроскопии, масс-спектроскопии поверхность образцов $\text{A}^{\text{II}}\text{B}^{\text{V}}$ при различных видах воздействия. Разработана технология для получения атомарно чистых поверхностей. Исследовано спектральное распределение фотоэмиссии и $\lambda$-модулированной фотоэмиссии, спектры поглощения, отражения и $\lambda$-модулированного поглощения и фотоответа поверхностно-барьерных диодов. Проведено сравнение полученных данных между собой и с известными теоретическими расчетами. Анализирована структура энергетических зон соединений $\text{A}^{\text{II}}\text{B}^{\text{V}}$ в области минимума межзонного промежутка. Сделаны первые попытки создания фотоэмиттеров с ОЭС на основе ZnAs$_{2}$ и CdP$_{4}$. Показана возможность создания поляризационно-чувствительных и узкополосных фотоэмиттеров.