Исследование оптических характеристик эпитаксиальных слоев ZnSe/GaAs (100), выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии

Проведен анализ спектров отражения и фотолюминесценции эпитаксиальных слоев ZnSe/GaAs (100), полученных методами молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии. Указан характер расщепления валентной зоны на подзоны тяжелых и легких дырок из-за деформационных эффектов. Обсуждается возможность рекомбинации связанных экситонов на одном нейтральном доноре в зависимости от эффективных масс дырок. Сделан вывод, что полученные слои являются экстремально чистыми, так как в них отсутствует излучение, связанное с донорно-акцепторными парами, самоактивированной люминесценции, и наблюдается интенсивное излучение в экситонной области с проявлением двухэлектронных переходов.