Статические характеристики тонкопленочных полевых транзисторов на основе $a$-Si : H

Рассчитываются статические характеристики тонкопленочного полевого транзистора на основе аморфного гидрогенизированного кремния ($a$-Si : H). Распределение плотности локализованных состояний в области хвоста зоны проводимости в $a$-Si : H принимается в виде экспоненты с последующим линейным изменением. Получены аналитические выражения для характеристик, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными.