Анизотропия оптического отражения арсенида галлия в области края фундаментального поглощения

Исследовался эффект поляризационной анизотропии оптического отражения кристаллов GaAs ориентации (110) в области края фундаментального поглощения. Эффект состоит в том, что коэффициенты отражения $R_{\parallel}$ и $R_{\perp}$ света, линейно поляризованного соответственно вдоль двух лежащих на данной плоскости осей [$\bar1$10] и [001], оказываются различными. Для изучения эффекта использовалась методика модуляции поляризации падающего излучения. Эксперименты выполнялись на поверхностно-барьерных структурах на основе слабо легированного GaAs при приложении напряжения смещения, а также на образцах с различным уровнем легирования. Показано, что зависящая от приповерхностного поля часть анизотропии отражения может анализироваться в рамках теории электроотражения. В области края поглощения наблюдаются осцилляции Франца$-$Келдыша. В области же переходов выше края поглощения (переходы $E_{1}$, ${E_{1}+\Delta_{1}}$) осцилляции не наблюдаются, что согласуется с теорией.