Аннотация:
Исследовался эффект поляризационной анизотропии оптического
отражения кристаллов GaAs ориентации (110) в области края фундаментального
поглощения. Эффект состоит в том, что коэффициенты отражения $R_{\parallel}$
и $R_{\perp}$ света, линейно поляризованного соответственно вдоль двух
лежащих на данной плоскости осей [$\bar1$10] и [001], оказываются различными.
Для изучения эффекта использовалась методика модуляции поляризации падающего
излучения. Эксперименты выполнялись на поверхностно-барьерных структурах
на основе слабо легированного GaAs при приложении напряжения смещения,
а также на образцах с различным уровнем легирования. Показано, что зависящая
от приповерхностного поля часть анизотропии отражения может анализироваться
в рамках теории электроотражения. В области края поглощения наблюдаются
осцилляции Франца$-$Келдыша. В области
же переходов выше края поглощения (переходы $E_{1}$, ${E_{1}+\Delta_{1}}$)
осцилляции не наблюдаются, что согласуется с теорией.