Симметрия комплекса $V_{\text{Ga}}\text{Te}_{\text{As}}$ в GaAs и его переориентация при низких температурах

При температурах 2 и 77 K исследовано влияние одноосного давления в диапазоне 0$-$10 кбар на полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.2 эВ в GaAs : Te, связанную с комплексом $V_{\text{Ga}}\text{Te}_{\text{As}}$. Результаты эксперимента свидетельствуют о том, что вызывающий эту ФЛ центр переориентируется при низкой температуре и способен выстраиваться в случае приложения к кристаллу одноосной деформации.
Совместный анализ зависимостей поляризации ФЛ от величины и направления давления и полученных ранее поляризационных диаграмм исследуемой полосы ФЛ позволяет установить, что комплекс $V_{\text{Ga}}\text{Te}_{\text{As}}$ имеет триклинную симметрию. Внутреннее искажение $T_{d}$-симметрии кристалла в месте расположения такого центра можно представить в виде суперпозиции искажений вдоль трех направлений. Два из них лежат в плоскости типа \{110\} и при низкой температуре являются фиксированными для каждого отдельного центра. Третье искажение, направление которого совпадает с осью $\langle111\rangle$, не лежащей в плоскости фиксированных искажений, переориентируется, что позволяет центру принимать одну из двух эквивалентных ориентаций. В условиях одноосного давления происходят снятие ориентационного вырождения между группами центров с различной ориентацией плоскости фиксированного искажения и выстраивание центров в отдельных группах. Предполагается, что переориентирующееся и одно из фиксированных искажений связаны с эффектом Яна$-$Теллера, а второе фиксированное искажение связано с исходной анизотропией пары $V_{\text{Ga}}\text{Te}_{\text{As}}$.