Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Zn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te

Исследовалась излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях Zn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te (${E_{g}\sim360}$ мэВ) $n$- и $p$-типа проводимости. В спектрах фотолюминесценции при ${T=4.2}$ K вне зависимости от типа проводимости эпитаксиальных слоев наблюдалась примесная полоса излучения, обусловленная акцептором ${E_{B}=20}$ мэВ. В спектре фотолюминесценции образца $p$-типа присутствуют, кроме того, две примесные полосы с акцепторными уровнями ${E_{A1}=10}$ и ${E_{A2}=50}$ мэВ, которые могут быть связаны с различными зарядовыми состояниями вакансий атомов ртути.
Установлено, что при гелиевых температурах межзонная излучательная рекомбинация происходит с участием хвостов плотности состояний. Предполагается, что эти хвосты обусловлены экситонами, локализованными на флуктуациях состава. По положению максимума полосы излучения определен масштаб спада хвоста. Теоретические оценки этой величины, сделанные для четверных твердых растворов, неплохо согласуются с экспериментальными значениями.