Пассивации радиационных дефектов в гидрогенизированных слоях кремния при нейтронном облучении

Измерениями ВФХ, ВАХ спектров НЕСГУ на диодах Шоттки определялись профили концентраций центров с мелкими и глубокими уровнями и распределение генерационных времен после облучения быстрыми нейтронами кремния $n$- и $p$-типа, гидрогенизированного в водородной плазме ВЧ разряда и в кипящей дистиллированной воде. Установлены эффекты пассивации как одиночных радиационных дефектов, так и радиационных дефектов в РО за счет образования атомарного водорода из связанных форм под действием факторов нейтронного облучения. Обнаружено уменьшение скорости деградации генерационных времен в гидрогенизированных слоях кремния при облучении. Установлена большая эффективность пассивации радиационных дефектов в $n$-Si, чем в $p$-Si.