RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 7, страницы 1330–1334 (Mi phts4751)

Краткие сообщения

Туннельно-термическая перезарядка глубоких уровней в барьере Шоттки. I. Вольт-амперные характеристики

В. А. Гергельa, С. П. Тарнавскийb

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва
b Государственный научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф. В. Лукина

Поступила в редакцию: 04.01.1992
Принята в печать: 30.01.1992



© МИАН, 2025