Ударная ионизация и лавинный пробой в $p{-}n$-переходах, находящихся в неоднородном температурном поле

Экспериментально на кремниевых $p{-}n$-переходах обнаружено, что влияние на ток ударной ионизации при лавинном пробое неоднородного разогрева полупроводника принципиально отличается от случая однородного разогрева. Градиент температуры в зависимости от направления по отношению к току может как эффективно (сильнее, чем при однородном разогреве) уменьшать, так и увеличивать ток ударной ионизации. При этом существенно изменяется напряжение пробоя $p{-}n$-перехода.
Полученные результаты объяснены теорией [1], в которой учтено, что в реализованных условиях протекание электрического тока приводит к увеличению или уменьшению числа электронно-дырочных пар в области пространственного заряда $p{-}n$-перехода.