Низкотемпературная подвижность 2МЭГ и качество гетерограницы в гетероструктурах InGaAs/InP, выращенных жидкофазной эпитаксией

В диапазоне концентраций двумерного электронного газа $n_{s}$ от ${2\cdot 10^{10}}$ до ${8\cdot 10^{10}\,\text{см}^{-2}}$ детально проанализирована экспериментальная зависимость низкотемпературной (4.2 K) подвижности 2МЭГ от $n_{s}$ в селективно легированных гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/lnP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что качество гетерограницы в большой степени определяет величину низкотемпературной подвижности 2МЭГ в исследованных гетероструктурах. Независимо друг от друга определена концентрация ионизованных дефектов на гетерогранице ${N_{z}=(9\pm3)\cdot 10^{9}\,\text{см}^{-2}}$, вносящих существенный вклад в рассеяние при малых $n_{s}$ и характерные размеры шероховатостей - мелкомасштабных пространственных флуктуаций гетерограницы (высота ${\delta=7{-}10}$ Å, размер в плоскости гетерограницы ${\Lambda\cong 50}$ Å), определяющих подвижность 2МЭГ в исследуемых гетероструктурах при больших $n_{s}$.