Исследование рекомбинационных процессов неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия

Представлены экспериментальные результаты измерений времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на полуизолирующих подложках из того же материала. ННЗ в приповерхностной зоне слоя создавались облучением образца ультракоротким (22 пс) импульсом света с длиной волны 0.53 мкм, получаемым с помощью АИ : Nd$^{+3}$-лазера. Исследовались образцы с разной толщиной эпитаксиального слоя, изменявшегося травлением. Экспериментально полученное распределение времени жизни ННЗ по толщине эпитаксиального слоя сравнивалось с результатами численного моделирования. Наблюдаемое уменьшение времени жизни ННЗ в области слоя, прилегающего к подложке, объясняется проникновением из нее атомов хрома.