Изменение электронных свойств системы Si$-$SiO$_{2}$ при лазерном облучении

Методом температурных зависимостей поверхностной фотоэдс исследованы электронные свойства системы Si$-$SiO$_{2}$ после воздействия излучения рубинового лазера наносекундной ддительности с энергией импульса, изменяющейся в пределах ${W=0{-}1\,\text{Дж/см}^{2}}$. Получены немонотонные зависимости поверхностного потенциала кремния от энергии импульса $W$ с резким изменением величины и знака потенциала при ${W=0.7\,\text{Дж/см}^{2}}$ (энергия плавления кремния). Рассчитаны плотности быстрых поверхностных электронных состояний (ПЭС) на границе Si$-$SiO$_{2}$ после облучения системы. Показано, что плотность ПЭС и их распределение в запрещенной зоне изменяются с ростом $W$. При энергиях ${W<0.5\,\text{Дж/см}^{2}}$ плотность ПЭС уменьшается, что связано с переходом системы Si$-$SiO$_{2}$ в более равновесное состояние. При ${W\geqslant0.6\,\text{Дж/см}^{2}}$ наблюдается рост плотности ПЭС в связи с преобладанием дефектообразования на границе Si$-$S1O$_{2}$.