Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев $\text{GaSb}\langle\text{Bi}\rangle$ и $\text{GaSb}\langle\text{Bi,Sn}\rangle$, полученных из висмутовых растворов

Проведена количественная оценка изменений в составе ансамбля собственных точечных дефектов в эпитаксиальных слоях GaSb, выращиваемых из висмутовых растворов. Показано, что замена галлиевого растворителя висмутовым при жидкофазной эпитаксии приводит к снижению в антимониде галлия концентрации вакансий сурьмы ($V_{\text{Sb}}$) и “антиструктурных” дефектов типа GaSb и возрастанию концентрации вакансий галлия ($V_{\text{Ga}}$). Указанные изменения наиболее существенны при температурах эпитаксии ниже ${\sim450^{\circ}}$C.
С учетом полученных расчетных данных и уравнения электронейтральности оценено поведение амфотерной примеси олова в эпитаксиальных слоях GaSb, выращенных из висмутовых растворов. Определены концентрации олова, приводящие к инверсии типа проводимости эпитаксиальных слоев. В соответствии с расчетом уровень легирования оловом, необходимый для инверсии, снижается с понижением температуры кристаллизации.
Обсуждаются результаты экспериментальных исследований электрических свойств и низкотемпературных (4.2 K) спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaSb$\langle\text{Bi}\rangle$ и GaSb$\langle\text{Bi,\,Sn}\rangle$, находящиеся в хорошем согласии с результатами расчетов.