Температурное гашение остаточной проводимости в кристаллах селенида цинка, легированных медью

В интервале температур от 77 до 300 K изучены явления долговременной релаксации и остаточной проводимости в монокристаллах $n$-ZnSe, легированных медью. Установлено, что с ростом температуры резко ускоряется процесс релаксации неравновесной проводимости при снятии фотовозбуждения, величина остаточной проводимости и ее кратность по отношению к темновой уменьшаются, имеет место температурное гашение. В рамках двухбарьерной модели макроскопически неоднородного полупроводника наблюдаемые явления объясняются увеличением рекомбинационных барьеров при одновременном уменьшении дрейфовых. Показано, что наблюдаемые изменения барьеров в процессе термического гашения остаточной проводимости связаны с температурным изменением концентрации неравновесных носителей тока.