Аннотация:
В интервале температур от 77 до 300 K изучены явления
долговременной релаксации и остаточной проводимости в монокристаллах
$n$-ZnSe, легированных медью. Установлено, что с ростом температуры резко
ускоряется процесс релаксации неравновесной проводимости при снятии
фотовозбуждения, величина остаточной проводимости и ее кратность по отношению
к темновой уменьшаются, имеет место температурное гашение. В рамках
двухбарьерной модели макроскопически неоднородного полупроводника наблюдаемые
явления объясняются увеличением рекомбинационных барьеров при одновременном
уменьшении дрейфовых. Показано, что наблюдаемые изменения барьеров в процессе
термического гашения остаточной проводимости связаны с температурным
изменением концентрации неравновесных носителей тока.