Влияние статистического сдвига уровня Ферми на электропроводность $a$-Si : H : нормальное и аномальное правило Мейера$-$Нелдела

Приводятся экспериментальные данные по температурным зависимостям электропроводности $\sigma$ $a$-Si : H $n$- и $p$-типа, проверено выполнение правила Мейера$-$Нелдела для образцов обоих типов. Обнаружено, что для образцов $p$-типа при энергии активации $\Delta E$ в интервале ${0.23\div0.40}$ эВ выполняется соотношение типа ${\sigma_{0}\sim\exp (-G\Delta E}$) ($\sigma_{0}$ — предэкспоненциальный множитель активированной $\sigma$) с ${G\simeq 19\,\text{эВ}^{-1}}$, которое названо аномальным правилом Мейера$-$Нелдела. Проведен теоретический расчет статистического сдвига уровня Ферми для разных параметров модели плотности состояний; показано, что как нормальное, так и аномальное правило Мейера$-$Нелдела адекватно объясняется с помощью статистического сдвига $\varepsilon_{F}$.