Низкочастотные колебания тока в компенсированном цинком кремнии

Приведены результаты исследования осцилляции фототока в компенсированном цинком кремнии. Установлено, что регулярные и стабильные колебания тока наблюдаются в образцах $n$-Si$\langle\text{Zn}\rangle$ с ${20\leq p\leq10^{5}}$ и в $p$-Si$\langle\text{Zn}\rangle$ c $5\cdot10^{4}$ Ом $\cdot$ см при ${T=77{-}20}$ K. Максимальное значение амплитуды доходит до ${I=400}$ мА, а частота меняется в интервале ${f=10^{-3}\div10}$ Гц. Показано, что колебания тока в образцах Si$\langle\text{Zn}\rangle$ связаны с температурно-электрической неустойчивостью тока (ТЭН), которая хорошо исследована в полупроводниковых соединениях $\text{A}^{\text{II}}\text{B}^{\text{VI}}$ и $\text{A}^{\text{III}}\text{B}^{\text{V}}$. Механизм исследуемых колебаний объясняется существующей моделью ТЭН с учетом особенности поведения атомов цинка в кремнии.