Аннотация:
Исследовано влияние полевой и ударной ионизации глубоких
энергетических уровней на форму вольт-амперных характеристик
гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием.
Показано, что ударная ионизация проявляется даже при относительно малой
поверхностной плотности уровней и может приводить к аномальной зависимости
вольт-амперной характеристики транзистора от напряжения на затворе.
Ударная ионизация глубоких уровней преобладает в истоковой части
канала, в то время как в области статического домена преобладает ионизация
полем затвора, а ионизация продольным электрическим полем несущественна.