Аннотация:
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства
эпитаксиальных слоев арсенида индия. Показано, что использование свинца
в качестве нейтрального растворителя при выращивании эпитаксиальных слоев
арсенида индия позволяет уменьшить концентрацию примесей и структурных
дефектов и получить как более чистые слои (при 77 K концентрация
электронов ${\sim5\cdot10^{16}}$ см$^{-3}$,
подвижность ${\sim3\cdot10^{4}\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$),
так и полуизолирующие слои (при 77 K концентрация
${\sim10^{15}}$ см$^{-3}$,
подвижность ${\sim4\cdot10^{3}\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$).
Определен энергетический спектр примесей и дефектов (энергии
ионизации донорных уровней — ${E_{D}=0.002}$, $0.01\div0.02$,
$0.1\div0.2$ эВ, акцепторного — ${E_{A}=0.05}$ эВ).
Изучены механизм рассеяния и характер распределения центров рассеяния.