RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 203–207 (Mi phts48)

Размерная концентрационная неустойчивость в тонких слоях кремния. I

С. Г. Банцер, Е. Г. Гуле, А. И. Климовская, А. В. Стадник, О. В. Снитко


Аннотация: Описаны вольтамперные характеристики исследованных структур, форма электрических колебаний, распределение напряжения вдоль пленки, влияние параметров элементов внешней цепи. Высказываются предположения о физической природе наблюдаемой неустойчивости.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.01.1985
Принята в печать: 14.05.1985



© МИАН, 2024