RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 9, страницы 1651–1653 (Mi phts4803)

Краткие сообщения

Перераспределение магния в InAs при постимплантационном отжиге

Н. Н. Герасименко, А. М. Мясников, В. И. Ободников, Л. Н. Сафронов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Поступила в редакцию: 19.03.1992
Принята в печать: 26.03.1992



© МИАН, 2025