RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1992
, том 26,
выпуск 9,
страницы
1651–1653
(Mi phts4803)
Краткие сообщения
Перераспределение магния в InAs при постимплантационном отжиге
Н. Н. Герасименко
,
А. М. Мясников
,
В. И. Ободников
,
Л. Н. Сафронов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Поступила в редакцию:
19.03.1992
Принята в печать:
26.03.1992
Полный текст:
PDF файл (355 kB)
©
МИАН
, 2025