RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1992
, том 26,
выпуск 9,
страницы
1666–1668
(Mi phts4808)
Краткие сообщения
Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе
А. Б. Казанцев
,
В. Р. Ларионов
,
В. Д. Румянцев
, Е. М. Танклевская
,
В. П. Хвостиков
Полный текст:
PDF файл (425 kB)
©
МИАН
, 2024