RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 9, страницы 1666–1668 (Mi phts4808)

Краткие сообщения

Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе

А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Поступила в редакцию: 03.04.1992
Принята в печать: 07.04.1992



© МИАН, 2025