Исследование лазерного геттерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения

Методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения исследовано лазерное геттерирование структурных и примесных дефектов в монокристаллическом GaAs. По ширине линий нарушенного полного внутреннего отражения, измеренного в области плазмон-фононного взаимодействия, и по интенсивности линий низкотемпературной фотолюминесценции установлены общее снижение уровня дефектности и перераспределение содержания легирующей примеси Si по толщине и поверхности образцов.