Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии

Исследовано влияние изовалентного легирования галлием и мышьяком на электрофизические и люминесцентные свойства фосфида индия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Проведено сравнение влияния изовалентных примесей III и V групп таблицы Менделеева на свойства InP и GaAs. Показано, что изменения концентраций мелких примесей и глубоких центров в этих соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ носят сходный характер.