RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1737–1741 (Mi phts4819)

Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии

Н. Б. Пышная, С. И. Радауцан, В. В. Чалдышев, В. А. Чумак, Ю. В. Шмарцев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние изовалентного легирования галлием и мышьяком на электрофизические и люминесцентные свойства фосфида индия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Проведено сравнение влияния изовалентных примесей III и V групп таблицы Менделеева на свойства InP и GaAs. Показано, что изменения концентраций мелких примесей и глубоких центров в этих соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ носят сходный характер.

Поступила в редакцию: 09.04.1992
Принята в печать: 17.04.1992



© МИАН, 2025