RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 11, страницы 2122–2125 (Mi phts482)

Краткие сообщения

Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов

Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, А. А. Лебедев




© МИАН, 2024