RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 11,
страницы
2122–2125
(Mi phts482)
Краткие сообщения
Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов
Е. В. Астрова
,
В. М. Волле
,
В. Б. Воронков
,
В. А. Козлов
,
А. А. Лебедев
Полный текст:
PDF файл (557 kB)
©
МИАН
, 2024