Сульфидная пассивация поверхности арсенида индия

Исследовано влияние сульфидной пассивации на фотолюминесцентные свойства InAs и твердых растворов на его основе в зависимости от ориентации поверхности. С помощью метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучены химические связи, образующиеся при сульфидировании на поверхности InAs. Оказалось, что на стороне (111) $A$ образуются как In$-$S-, так и As$-$S-связи, в то время как на стороне (111) $B$ — только As$-$S-связи. Показано, что улучшение фотолюминесцентных свойств связано с уменьшением содержания на поверхности оксидов и элементарного мышьяка. Установлено, что после сульфидной обработки плотность поверхностных состояний уменьшается примерно на порядок.