Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd${-}p{-}p^{+}$-InP и изменение их в атмосфере водорода

На созданных диодных структурах Pd${-}p{-}p^{+}$-InP напылением в вакууме Pd на слои $p$-InP, полученные газовой эпитаксией, исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики и спектральная фоточувствительность. Установлено влияние глубоких центров захвата дырок большой плотности ${N_{t}\geqslant 10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ на электрические параметры диодов. Показано, что механизмы токопрохождения определяются двойной инжекцией в диффузионном приближении в $p$-слой. Установлено изменение темнового тока и фотоэдс в атмосфере водорода, достигающего соответственно 1.5 порядка и 100%. Показано, что это влияние водорода не связано с изменением работы выхода Pd, а определяется изменением свойств границ раздела Pd$-$промежуточный слой$-$InP (образованием дипольного слоя), наличием центров захвата дырок, что приводит к изменению дырочной и электронной темновой и световой компонент тока. Полученные результаты представляют практический интерес для создания датчиков водородосодержащих газов.