RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1768–1774 (Mi phts4824)

Электрические, термоэлектрические и магнитные свойства Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te, легированного индием

Г. В. Лашкарев, А. В. Бродовой, М. В. Радченко, А. Л. Мирец, Е. С. Паренская, М. С. Никитин, Ю. И. Растегин, С. П. Колесник


Аннотация: Исследованы удельное сопротивление, коэффициент Холла, термоэдс, магнитная восприимчивость и ЭПР твердого раствора Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te как чистого, так и легированного индием в интервале температур 4.2$-$300 K, в магнитных полях до 30 кЭ. Обнаружена инверсия знака продольной магнитотермоэдс в магнитных полях, при которых достигается квантовый предел. На зависимости термоэдс от продольного магнитного поля при ${T\sim 10}$ K и ${H\lesssim3}$ кЭ обнаружена особенность в виде двух экстремумов, которые, возможно, связаны с проявлением резонансного уровня индия в континууме разрешенных энергий зоны проводимости с глубиной залегания ${\sim1.5}$ и 5 мэВ. Установлено, что примесь In в Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te обладает парамагнитными свойствами, находясь в кристалле в виде одиночных атомов, и увеличивает плотность состояний на краю зоны проводимости.



© МИАН, 2024