RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1768–1774 (Mi phts4824)

Электрические, термоэлектрические и магнитные свойства Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te, легированного индием

Г. В. Лашкарёв, А. В. Бродовой, М. В. Радченко, А. Л. Мирец, Е. С. Паренская, М. С. Никитин, Ю. И. Растегин, С. П. Колесник

Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследованы удельное сопротивление, коэффициент Холла, термоэдс, магнитная восприимчивость и ЭПР твердого раствора Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te как чистого, так и легированного индием в интервале температур 4.2$-$300 K, в магнитных полях до 30 кЭ. Обнаружена инверсия знака продольной магнитотермоэдс в магнитных полях, при которых достигается квантовый предел. На зависимости термоэдс от продольного магнитного поля при ${T\sim 10}$ K и ${H\lesssim3}$ кЭ обнаружена особенность в виде двух экстремумов, которые, возможно, связаны с проявлением резонансного уровня индия в континууме разрешенных энергий зоны проводимости с глубиной залегания ${\sim1.5}$ и 5 мэВ. Установлено, что примесь In в Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te обладает парамагнитными свойствами, находясь в кристалле в виде одиночных атомов, и увеличивает плотность состояний на краю зоны проводимости.

Поступила в редакцию: 16.08.1992
Принята в печать: 27.04.1992



© МИАН, 2025