Расчет динамических характеристик лавинно-пролетного диода на карбиде кремния

Теоретически рассмотрена возможность применения карбида кремния для создания лавиннопролетного диода коротковолновой части миллиметрового диапазона. С помощью локально-полевой модели рассчитаны динамические характеристики однопролетной структуры, сформированной на грани $\{0001\}$ $6H$-SiC. Показано, что в режиме коротких импульсов может быть достигнута выходная удельная мощность генерации ${1.5\cdot 10^{6}\,\text{Вт/см}^{2}}$2 при максимальном КПД, равном 7%, плотности тока 150 кА/см$^{2}$ и максимальном перегреве структуры в течение длительности импульса не более 500 град. Исследовано влияние температуры и удельного последовательного сопротивления потерь на работу карбид-кремниевого лавинно-пролетного диода.