К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs

Для полупроводников со сложной структурой валентной зоны построено теоретическое описание мелкого уровня в прямоугольной квантовой яме и найдена зависимость его энергии от величины волнового вектора дырки в плоскости ямы. Найдены величина и форма пиков в зависимости вероятности захвата частиц из разных подзон валентной зоны. Показано, что при равновесном распределении носителей между подзонами легких и тяжелых дырок основную роль в захвате играют тяжелые дырки.