Аннотация:
Изготовлены туннельно-резонансные диоды со спейсер-слоями и слабо
легированным буферным слоем. На измеренных при 77 и 300 K ВАХ получены
особенности в области отрицательной дифференциальной проводимости. Показано,
что эти особенности связаны с протеканием тока по размерно-квантованным
уровням в потенциальной яме спейсер-слоя, а не с самовозбуждением.
В результате решения самосогласованной системы уравнений Шредингера
и Пуассона получены зависимости глубины потенциальной ямы и уровней
энергии в ней от напряжения на диоде и показано, что максимумы тока
на ВАХ реализуются при совпадении резонансного уровня с дном зоны
проводимости или уровнями размерного квантования.