Неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний при многофононной рекомбинации

Методом численного моделирования найдено неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний, устанавливающееся в стационарных условиях за счет многофононной рекомбинации электронно-дырочных пар. При этом предполагается, что концентрация неравновесных носителей контролируется внешним источником возбуждения и рекомбинационными процессами (включая в себя излучательные и оже-процессы). Показано, что в полупроводнике $n$-типа при увеличении концентрации неравновесных дырок экспоненциально нарастает «хвост» функции распределения, что в эксперименте может проявиться как уменьшение энергии активации при рекомбинационно-стимулированном отжиге дефектов.