RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 11, страницы 1857–1860 (Mi phts4840)

Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами

Ю. А. Водаков, А. И. Гирка, А. О. Константинов, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, С. В. Свирида, В. В. Семенов, В. И. Соколов, А. В. Шишкин


Аннотация: Зеленые светодиоды (максимум излучения соответствует длинам волн ${510\div530}$ нм) изготовлены с использованием методики, включающей в себя облучение быстрыми электронами и последующий отжиг диодных структур на основе карбида кремния политипа $6H$, изготовленных газофазной эпитаксией. Отмечается повышенное быстродействие таких светодиодов и линейность ток-яркостных характеристик в отличие от аналогичных светодиодов, полученных с помощью ионной имплантации алюминия.



© МИАН, 2024