Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур $p$-CuInSe$_{2}{-}n$-CdS

Исследованы фотоэлектрические свойства тонкопленочных гетероструктур $p$-CuInSe$_{2}{-}n$-CdS. Обнаружены поляризационная фоточувствительность и увеличение фототока короткого замыкания в результате снижения потерь на отражение при наклонном падении линейно поляризованного излучения на гетероструктуру со стороны пленки CdS$\langle\text{In}\rangle$. Показано, что коэффициент фотоплеохроизма $\mathcal{P}$ увеличивается с ростом угла падения $\theta$ в по закону ${\mathcal{P}\sim\theta^{2}}$ и при ${\theta=20^{\circ}}$ достигает 64 %. Обнаруженный эффект поляризационной фоточувствительности слабо зависит от энергии фотонов в диапазоне между энергиями ширины запрещенной зоны контактирующих веществ. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в качестве широкополосных поляриметрических фотодетекторов.