Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия

На основании метода, разработанного в [1], проведен теоретический анализ основных тенденций изменения электронного спектра в ряду примесей, создаваемых переходными элементами группы железа, для бинарных полупроводников GaAs и GaP. Показана возможность существования трех типов энергетических уровней одновременно, инициируемых примесными атомами. Обсуждается проблема “начала отсчета” для этих уровней. Проанализированы зарядовые и спиновые характеристики основного состояния примесных центров, создаваемых $3d$-элементами в соединениях $\text{A}^{\text{III}}\text{B}^{\text{V}}$.