RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 11, страницы 1907–1913 (Mi phts4847)

Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотомодуляционным спектрам

И. А. Авруцкий, О. П. Осауленко, В. Г. Плотниченко, Ю. Н. Пырков


Аннотация: Показано, что измерения интенсивности пика фотоотражения и его спектрального положения при сканировании по образцу могут быть использованы для определения неоднородности квантовых ям InGaAs/GaAs по ширине и составу.



© МИАН, 2024