RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1992
, том 26,
выпуск 11,
страницы
1907–1913
(Mi phts4847)
Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотомодуляционным спектрам
И. А. Авруцкий
, О. П. Осауленко
,
В. Г. Плотниченко
, Ю. Н. Пырков
Аннотация:
Показано, что измерения интенсивности пика фотоотражения и его спектрального положения при сканировании по образцу могут быть использованы для определения неоднородности квантовых ям InGaAs/GaAs по ширине и составу.
Полный текст:
PDF файл (694 kB)
©
МИАН
, 2024