И. А. Авруцкий, О. П. Осауленко, В. Г. Плотниченко, Ю. Н. Пырков, “Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотомодуляционным спектрам”, Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 11,страницы 1907

Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотомодуляционным спектрам

И. А. Авруцкий, О. П. Осауленко, В. Г. Плотниченко, Ю. Н. Пырков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Показано, что измерения интенсивности пика фотоотражения и его спектрального положения при сканировании по образцу могут быть использованы для определения неоднородности квантовых ям InGaAs/GaAs по ширине и составу.

Поступила в редакцию: 07.05.1992
Принята в печать: 15.05.1992