Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых $p{-}n$-структурах при термообработке

Показано, что образующиеся в процессе термообработки неравновесные собственные точечные решеточные дефекты участвуют в формировании электрически активных центров, ответственных за ударную ионизацию и генерацию-рекомбинацию носителей заряда в $p{-}n$-структурах. Демонстрируются возможности метода емкостной спектроскопии для исследования влияния различных физических факторов на пересыщение Si собственными дефектами. Центры с глубокими уровнями с энергиями ионизации $E_{c}{-}0.277$ (Е4), $E_{c}{-}0.535$ эВ (Е1), связанные с пересыщением Si собственными межузельными атомами, и $E_{c}{-}0.266$ эВ (Е5), связанный с вакансионным пересыщением, могут приводить к образованию микроплазм. Центр E1 также является эффективным генерационно-рекомбинационным центром, увеличивающим обратный ток $p{-}n$-структур. Изменение условий термообработки позволяет управлять типом и концентрацией генерируемых неравновесных собственных дефектов и концентрацией электрически активных центров, контролирующих время жизни неосновных носителей заряда. Развитые представления используются для оптимизации условий изготовления структур сильноточных высоковольтных лавинных диодов.