Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb

Исследовались спектры излучения гетеролазеров на основе GaInAsSb/GaSb и GaInAsSb/AlGaAsSb в спонтанном и лазерном режимах при 77 и 295 K.
Показано, что во всех исследованных лазерных структурах когерентное излучение возникает при рекомбинации носителей заряда через состояния в самосогласованной квантово-размерной яме на гетерогранице GaInAsSb/GaSb либо GaInAsSb/AlGaAsSb.
Длинноволновый сдвиг лазерного излучения относительно максимума спонтанного излучения возникает в случаях присутствия в спектре большого количества излучения, обусловленного межзонной рекомбинацией носителей заряда в объеме узкозонного материала активной области и определяющего этот максимум.
Количество межзонного излучения узкозонного материала зависит от расстояния, преодолеваемого дырками от инжектирующего их $p{-}n$-перехода до самосогласованной квантово-размерной ямы на $n{-n$-гра}нице. Оно становится сравнимо с интерфейсным излучением, когда это расстояние составляет 0.5$-$0.7 мкм и больше.