Определение электронных характеристик границ раздела полупроводник$-$диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов

Развита методика спектроскопии границы раздела полупроводник$-$диэлектрик промышленных МДП транзисторов с коротким каналом, основанная на комбинации методов эффекта поля и «расщепленных» вольт-фарадных характеристик. По зависимости электропроводности канала от потенциала затвора определяются низкочастотная вольт-фарадная характеристика транзистора, потенциал границы раздела и функция плотности пограничных состояний в интервале энергий, примыкающем к краю зоны неосновных носителей заряда. Дополнительные измерения вольт-фарадных характеристик позволяют оценивать паразитные емкости между затвором и областями истока и стока и устанавливать факт изменения длины канала с напряжением затвора.