RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 12, страницы 2031–2039 (Mi phts4871)

Кинетика и спектр фотопроводимости гетероструктур PbTe/Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, выращенных на подложках BaF$_{2}$

И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов


Аннотация: Из спектров и кинетики фотопроводимости сверхрешеток (СР) и структур с квантовыми ямами типа PbTe/Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te/BaF$_{2}$ следует, что гетеропереход принадлежит к ковариантному типу (тип I$'$). Построена энергетическая диаграмма напряженной (выращенной на BaF$_{2}$) СР. Величина разрыва зоны проводимости в зависимости от состава равна ${\Delta E_{c}\simeq320}$ мэВ. Обнаружен глубокий резонансный уровень, который не наблюдается на отдельных эпитаксиальных слоях. Сделано предположение, что уровень формируется в объеме РbТе. Его энергия, отсчитанная от дна зоны проводимости, равна ${\simeq150}$ мэВ. Записана и решена система дифференциальных уравнений, описывающих кинетику фотопроводимости в СР.



© МИАН, 2024