Воздействие света на процесс имплантации ионов P$^{+}$ в Si

Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света изучено влияние подсветки в процессе имплантации в Si ионов Р$^{+}$ на разупорядочение структуры Si. Установлено, что подсветка приводит к увеличению размеров микрокристаллитов и объемного содержания кристаллической фазы в имплантируемом слое по сравнению с имплантацией без подсветки, а в аморфной фазе — к уменьшению величины отклонения углов связей ($\Delta \theta$) от идеальной тетраэдрической координации.