RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 12, страницы 2098–2102 (Mi phts4879)

Фотостимулированное изменение положения ионов Mn$^{2+}$ в кристаллической решетке селенида свинца

Ю. С. Громовойa, С. К. Кадышевa, С. В. Пляцкоb

a Институт полупроводников АН УССР
b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследованы поведение примеси Мn в PbSe и изменения электрофизических свойств и электронного парамагнитного резонанса монокристаллов PbSe : Мn, индуцированных лазерным излучением в области прозрачности матрицы PbSe.
Показано, что примесь Мn в исходных кристаллах находится в зарядовом состоянии Мn$^{2+}$ и располагается преимущественно в междоузлиях решетки PbSe. При взаимодействии PbSe и PbSe : Мn с ИК лазерным излучением (${\hbar\omega<E_{g}}$) происходят изменение концентрации носителей тока, увеличение их подвижности и распределение ионов Мn$^{2+}$ по узлам металлической подрешетки. Определены константы спин-гамильтониана междоузельного и узельного Мn в решетке PbSe.

Поступила в редакцию: 28.05.1992
Принята в печать: 08.06.1992



© МИАН, 2025