Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре

Из условия равенства химических потенциалов двумерного и трехмерного газа электронов получено замкнутое уравнение для определения контактного потенциала квантовой ямы относительно окружающей толщи широкозонного полупроводника. В последней возникает истощенный слой макроскопической толщины до одной десятой микрона. Показано, что сдвиг уровней в квантовой яме относительно ее дна, обусловленный зарядом электронов, весьма невелик, и им можно пренебречь. Эффекты, к которым приводит макроскопически толстая истощенная область — это ее проявление на вольт-фарадных характеристиках барьерных структур с квантовой ямой в толще и превращение возбужденного состояния электрона в яме в квазистационарное. Последний эффект должен проявиться в явлении резонансного туннелирования через возбужденный уровень.