RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 12, страницы 2133–2136 (Mi phts4886)

Краткие сообщения

Сильнополевое заполнение глубоких уровней в гетероструктурных полевых транзисторах с модулированным легированием (AlGaAs/GaAs)

С. В. Мальцев, В. Я. Принц




© МИАН, 2024