Фотолюминесценция InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом жидкостной эпитаксии

В широком диапазоне уровней возбуждения, эквивалентного ${5\cdot10^{-1}\div2\cdot10^{4}\,\text{А/см}^{2}}$, исследованы спектры фотолюминесценции двойных In$_{0.49}$Ga$_{0.51}$P$-$In$_{0.13}$Ga$_{0.87}$As $_{0.74}$P$_{0.26}{-}$In$_{0.49}$Ga$_{0.51}$P-гетероструктур, выращенных на подложках GaAs модифицированным методом жидкостной эпитаксии, позволяющим получать слои с толщиной активной области $d$, меньшей 100 Å. При ${T=77}$ и 300 K в спектрах собственной люминесценции структур с ${d < 300}$ Å обнаружены системы максимумов, соответствующих образованию подзон размерного квантования. Анализ энергетического положения максимумов позволяет предположить, что форма потенциальной ямы в активной области исследуемых гетероструктур близка к прямоугольной и, следовательно, протяженность переходных областей на гетерограницах значительно меньше 100 Å.