Аннотация:
Химическим осаждением на ситалловую подложку при варьировании в реакционной смеси концентрации соли ацетата кадмия Cd(CH$_{3}$COO)$_{2}$ в пределах 0.01–0.10 моль/л получены поликристаллические пленки пересыщенных твердых растворов замещения Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S (0.021 $\le x\le$ 0.090) с кубической структурой $B$1 (пр. гр. $Fm\bar3m$) толщиной от $\sim$ 0.4 до $\sim$ 1.0 мкм. Установлена корреляция между структурно-морфологическими и функциональными свойствами тонкопленочных слоев Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S. Экстремальный характер зависимости вольтовой чувствительности от концентрации соли кадмия в реакционной ванне связан с немонотонным вхождением кадмия в кристаллическую решетку PbS. Показано, что максимальным фототоком обладают тонкопленочные слои Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S, сформированные из кристаллитов, имеющих выраженную кристаллографическую огранку. Обнаружена поверхностная чувствительность пленок Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S к присутствию $\sim$ 0.02 мг/м$^{3}$ NO$_{2}$ в воздушной среде, что значительно ниже принятых предельно допустимых концентраций.