Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в нейтронно-облученном $6H$-SiC

Показано, что в эпитаксиальных слоях SiC, выращенных при ${1700\div1800^{\circ}}$С, эффективная дефектная люминесценция типа $D_{1}$, возникающая при нейтронном облучении, обладает существенно более высокой термической стабильностью, чем в кристаллах, получаемых по методу Лели при ${2600\div2700^{\circ}}$С. Это различие связывается с тем, что кристаллы, полученные при более низких температурах, обогащены углеродными вакансиями, активно взаимодействующими с радиационными дефектами. Делается вывод, что центром, ответственным за люминесценцию со спектром $D_{1}$, является комплекс собственных дефектов, в который входит углеродная вакансия — $(V_{C})_{2}$ или $V_{C}$ — Si$_{i}$.