Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

Разработаны и исследованы инфракрасные (850 нм) светодиоды на основе AlGaAs/Ga(In)As-гетероструктур, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, включающие множественные InGaAs квантовые ямы в активной области, и двойной оптический отражатель, включающий брэгговскую многослойную Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As/Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As-гетероструктуру и зеркальный слой серебра. Изготовлены светодиоды с внешней квантовой эффективностью EQE = 37.5% при плотности тока $>$10 А/см$^{2}$.