RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1255–1259 (Mi phts4926)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние асимметрии расположения металлических масок на согласование нижнего электрода с высокочастотным генератором смещения при реактивно-ионном травлении массивных подложек

С. Д. Полетаевa, А. И. Любимовb

a Институт систем обработки изображений РАН - филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Самара, Россия
b Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики", 420075 Казань, Россия

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовано влияние степени асимметрии расположения металлических масок на согласование нижнего электрода с высокочастотным генератором смещения при селективном реактивно-ионном травлении массивных подложек в плазмообразующих газовых смесях на основе фреона-14. Теоретически показано отсутствие влияния асимметрии расположения маски на удельную реактивную мощность. Показано, что на краю подложки, особенно с маской, возникает резкий рост плотности высокочастотного тока, доказывающий преимущественно поверхностный (торцевой) характер его протекания. Установлено влияние расположения маски на поведение плотности электрических зарядов, коррелирующее с распределением плотности высокочастотного тока в приповерхностном слое подложки. Перераспределения плотности заряда химически активных частиц плазмы на краю маски при этом обнаружено не было. В соответствии с полученными теоретическими результатами экспериментально показано, что металлические маски с соотношением длин сторон 36/0 мм снижают коэффициент отражения по мощности в пределах 5%.

Ключевые слова: дифракционный оптический элемент, реактивно-ионное травление, индуктивно связанная плазма, контактная маска, нижний электрод, моделирование COMSOL Multiphysics.

Поступила в редакцию: 21.06.2021
Исправленный вариант: 18.07.2021
Принята в печать: 13.08.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51715.9700



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024